服务介绍
晶圆材料洁净度测试 仪器名称 检测项目 适用材料 应用场景 ICP-MS 表金属测试 高纯硅料、高纯石英、硅晶圆、锗晶圆、砷化镓晶圆、碳化硅晶圆、氮化镓晶圆、硅外延片 检测表面金属杂质含量 ICP-MS/MS 体金属测试 高纯硅料、高纯石英、硅晶圆、碳化硅晶圆 检测体金属杂质含量 VPD-ICP-MS/MS 表金属测试 硅片、硅晶圆、碳化硅晶圆 检测表面金属杂质 TXRF 表面金属元素测试 硅晶圆、碳
服务范围全国
检测周期5-7个工作日，可加急
相关资质可提供CMA、CNAS检测报告
服务模式快递寄样、现场取样、人工送样
服务对象企事业单位、高等院校、科研院所
服务方向采购销售、竞标投标、生产研发、科研数据、诊断优化、司法服务
检测标准国家标准、行业标准、企业标准、地方标准、国外标准、非标定制
服务内容
康派斯集团提供全面的晶圆材料检测服务，涵盖、显微表征、成分分析、失效分析及可靠性验证。检测表金属和体金属含量；显微表征利用FIB、FESEM-EDS、TEM等仪器，观察晶圆微观形貌和缺陷；成分分析通过FTIR、NMR、EDS等手段，评估晶圆表面异物和材料成分。失效分析和可靠性验证则借助FIB、SEM、SIRP、CT、TGA等技术，分析缺陷原因并验证材料在不同环境下的稳定性。这些检测服务广泛应用于晶圆制造、封装和研发过程，为晶圆材料的质量控制提供科学依据，确保其在半导体制造中的可靠性和性能。
晶圆测试项目
晶圆材料显微表征
| 仪器名称 | 检测项目 | 适用材料 | 应用场景 |
|---|---|---|---|
| FIB | 定点制样、成像 | 硅晶圆、碳化硅晶圆 | 快速、高质量制样，观察缺陷 |
| FESEM-EDS | 微观形貌/尺寸、镀层厚度分析、元素分析 | 硅晶圆、碳化硅晶圆 | 点扫、线扫、面扫元素分布 |
| TEM | 微观形貌/尺寸、电子衍射图片、晶格面分析、元素分析 | 硅晶圆、碳化硅晶圆 | 二维晶格面、明/暗场图片 |
| AFM | 表面粗糙度、形貌、膜层厚度 | 硅晶圆、碳化硅晶圆 | 表面形貌、粗糙度分析 |
| XRT | 晶圆缺陷测试 | 硅、碳化硅晶圆 | 检测晶圆缺陷 |
| SIRD | 边缘缺陷测试 | 硅、氮化镓、砷化镓 | 检测边缘缺陷 |
| KLA SP1/SP3/SP5/SP7 | 表面颗粒物/缺陷形貌 | 硅晶圆 | 检测表面颗粒物和缺陷 |
| 速普FST5000 | 薄膜应力测试 | SiO2、SiC、蓝宝石 | 测试薄膜应力 |
| EDR7380 | 颗粒物成分分析 | 搭配KLA SP3/SP5 | 检测12寸硅晶圆表面颗粒物成分 |
| 4PP | 电阻率测试 | 晶圆材料 | 测试电阻率 |
| Wafersight 2 | 成分和纵向分布分析 | 晶圆材料 | 研究SEI膜成分 |
晶圆材料成分分析
| 仪器名称 | 检测项目 | 适用材料 | 应用场景 |
|---|---|---|---|
| FTIR | 红外定性分析 | 晶圆表面异物 | 晶圆表面异物的红外光谱分析 |
| NMR | 核磁定量分析 | 晶圆表面异物 | 晶圆表面异物的核磁共振分析 |
| EDS | 元素种类与含量测试 | 晶圆材料 | 点扫、线扫、面扫元素分布 |
| AAS | 微量金属元素测试 | 晶圆原材料 | 测试微量常见金属、重金属及稀土金属含量 |
| EELS | 元素成分分析 | 晶圆材料 | 特别适合轻元素分析 |
| GC | 有机物及挥发组分分析 | 晶圆表面析出气体 | 分离、定性及定量分析小分子有机物 |
| 高频红外碳硫分析仪 | 碳硫含量分析 | 晶圆材料 | 获得碳和硫含量 |
| XRD | 晶体结构分析 | 晶圆材料、涂层 | 晶体结构、结晶度、石墨化度、取向度（OI值） |
| UV/VIS/IR | 透射率、吸收度、反射性质分析 | 溶液 | 溶液光学性质分析 |
| AES | 表面化学信息分析 | 异物表面 | 大于20 nm直径异物的化学信息 |
晶圆材料可靠性验证
| 仪器名称 | 检测项目 | 适用材料 | 应用场景 |
|---|---|---|---|
| CT | 内外部测量、断层扫描、尺寸比对、壁厚分析、缺陷查找与分析 | 晶圆材料 | 无损检测，分析内部和外部缺陷 |
| TGA | 热稳定性研究 | 晶圆材料 | 材料热稳定性及组分分析 |
| TGA-IR-GCMS | 热分解过程分析 | 晶圆材料 | 热分解产物类别及含量分析 |
| DMA | 力学性能测试 | 晶圆材料 | 模量、阻尼、蠕变、应力松弛等参数 |
| TMA | 热膨胀与收缩性评估 | 晶圆材料 | 材料在加热情况下的扩张性和收缩性 |
晶圆材料失效分析
| 仪器名称 | 检测项目 | 适用材料 | 应用场景 |
|---|---|---|---|
| FIB | 缺陷点切割制样 | 晶圆缺陷 | 制样后观察缺陷 |
| SEM | 显微缺陷观察 | 晶圆材料 | 显微层面缺陷观察 |
| SIRP | 缺陷分析 | 晶圆材料 | 高温边缘缺陷、外延炉老化缺陷、Support in造成的Pin Mark缺陷 |
| AFM | 表面观察、尺寸测定、粗糙度分析、缺陷分析 | 晶圆材料 | 表面形貌、粗糙度、颗粒度解析 |
| X-RAY | 无损检测 | 晶圆材料 | 基于X射线吸收差异检测缺陷 |
晶圆材料洁净度测试
| 仪器名称 | 检测项目 | 适用材料 | 应用场景 |
|---|---|---|---|
| ICP-MS | 表金属测试 | 高纯硅料、高纯石英、硅晶圆、锗晶圆、砷化镓晶圆、碳化硅晶圆、氮化镓晶圆、硅外延片 | 检测表面金属杂质含量 |
| ICP-MS/MS | 体金属测试 | 高纯硅料、高纯石英、硅晶圆、碳化硅晶圆 | 检测体金属杂质含量 |
| VPD-ICP-MS/MS | 表金属测试 | 硅片、硅晶圆、碳化硅晶圆 | 检测表面金属杂质 |
| TXRF | 表面金属元素测试 | 硅晶圆、碳化硅晶圆 | 检测表面金属元素 |
| GDMS | 全元素成分分析 | 固体样品 | 检测从锂到铀的所有元素 |
| D-SIMS | Bulk元素分析 | 硅料、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底 | 测试B、P、C、O、N、H、As等元素 |
| D-SIMS深度分析 | 深度元素分析 | 硅料、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底 | 深度方向B、P、C、O、N、H、As等元素分布 |
| 离子色谱IC | 阴阳离子测试 | 高纯硅料、高纯石英、硅晶圆、锗晶圆、砷化镓晶圆、碳化硅晶圆、氮化镓晶圆、硅外延片 | 检测阴阳离子含量 |
| SPV | Fe测试 | 硅晶圆、碳化硅晶圆 | 检测铁含量 |
| SRP | 深度P、B测试 | 硅晶圆、碳化硅晶圆 | 检测深度方向P、B分布 |
晶圆测试内容
晶圆粗糙度测试
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硅、氮化镓、砷化镓衬底表面粗糙度
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8 寸晶圆：3D 轮廓仪
晶圆膜厚测试
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椭偏仪测试 6 寸硅晶圆原子层沉积 SiO2 膜层厚度
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椭偏仪测试光刻胶、顶硅、二氧化硅三层薄膜的厚度
晶圆缺陷测试
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SIRD 测硅、氮化镓、砷化镓衬底边缘缺陷
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KLA8420/8520 测试碳化硅缺陷
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XRT 测硅、碳化硅衬底缺陷
晶圆应力测试
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SIRD 测 12 寸晶圆应力
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速普 FST5000 测 8 寸以下透光衬底 (如 SiO2、SiC、蓝宝石) 内应力
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速普 FST5000 测 6/8 寸晶圆薄膜应力 (镀膜前后量测差减)
晶圆表面异物试 (Wafer Surface Foreign Object Testing)
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表面异物的全成分分
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表面固体异物的金属元素 GDMS 测试
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表面非固体异物的 ICP 测试
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表面异物的阴阳离子测试
晶圆表面挥发性有机物检测 (Detection of Volatile Organic Compounds on Wafer Surface)
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晶圆表面 outgassing 测试
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VOC 测试
晶圆洁净度测试 (Wafer Cleanliness Test)
晶圆表面金属测试 (Wafer Metal Testing)
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6-12 寸硅晶圆：VPD-ICP-MS/MS
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4~8 寸硅晶圆、6 寸碳化硅晶圆、6 寸蓝宝石：TXRF
晶圆表面阴阳离子测试 (Wafer Surface Anion and Cation Testing)
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6、8 寸硅/碳化硅晶圆：离子色谱仪 (万通 940)
晶圆表面颗粒物测试 (Wafer Surface Particles)
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KLA SP1、SP3、SP5、SP7
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SPV 测试铁
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VPD 测试铜
电子级硅材料体金属测试
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多晶硅料 (7N 以上)：ICP-MS/MS (安捷伦 7900)
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多晶硅料 (9N 以上)：ICP-MS/MS (安捷伦 8900)
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石英 (4N 以上)：ICP-MS/MS (安捷伦 7900)
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多晶硅料/石英：ICP-MS/MS (安捷伦 7900)
DSIMS 体相测试
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硅基 C、H、O、N、B、P、As 在样品中的均匀分布
DSIMS 深度测试
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半导体表面金属沾污
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SiO2/SiC 中氢元素污染测试
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LED 器件分析
晶圆平整度测试
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Wafer side 2
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FM200
晶圆电阻率测试
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霍尔效应
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四探针
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探针台
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