服务介绍
半导体失效分析测试 半导体失效分析测试：方法、流程与应用 半导体失效分析概述 半导体失效分析是通过对器件的电特性、物理结构和化学成分进行综合分析，明确失效原因和机理，并提出改进措施的过程。失效分析对于提高产品可靠性、优化设计和工艺具有重要意义。 半导体失效分析方法 失效分析通常结合多种技术手段，包括无损检测和破坏性分析。 无损检测 X射线检测
服务范围全国
检测周期5-7个工作日，可加急
相关资质可提供CMA、CNAS检测报告
服务模式快递寄样、现场取样、人工送样
服务对象企事业单位、高等院校、科研院所
服务方向采购销售、竞标投标、生产研发、科研数据、诊断优化、司法服务
检测标准国家标准、行业标准、企业标准、地方标准、国外标准、非标定制
服务内容
半导体失效分析测试
半导体失效分析测试：方法、流程与应用
半导体失效分析概述
半导体失效分析是通过对器件的电特性、物理结构和化学成分进行综合分析，明确失效原因和机理，并提出改进措施的过程。失效分析对于提高产品可靠性、优化设计和工艺具有重要意义。
半导体失效分析方法
失效分析通常结合多种技术手段，包括无损检测和破坏性分析。
无损检测
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X射线检测：利用2D X-ray或3D X射线断层扫描（CT）检查封装内部的引线键合、焊球连接、分层和微裂纹等缺陷。
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红外热成像：通过扫描芯片表面的温度分布，定位异常发热点，如短路区域。
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声学显微镜（SAM）：利用超声波检测封装内部的脱层、裂纹等界面缺陷。
破坏性分析
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开封（Decapsulation）：通过化学或激光方法去除封装，暴露芯片表面。
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剖面制备（Cross-Section）：使用聚焦离子束（FIB）或机械研磨切割芯片，制备特定区域的横截面，通过扫描电镜（SEM）观察微观结构。
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材料成分分析：利用能量色散谱（EDS）和二次离子质谱（SIMS）检测失效点的元素成分和痕量杂质。
电路层级失效定位
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光子发射显微镜（EMMI）：检测失效区域的微弱光子发射，定位漏电或短路的精确位置。
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激光诱导电压变化（OBIRCH）：通过激光扫描芯片表面，监测电阻变化，定位高阻抗或断路点。
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电子束探伤（EBT）：利用电子束激发芯片内部电势变化，分析电路节点异常。
失效机理与模型
失效分析需要结合电学测试、物理分析和材料表征结果，构建失效机理模型。例如：
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热载流子注入（HCI）：栅氧损伤导致阈值电压漂移。
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电化学迁移（ECM）：湿度环境下金属离子迁移形成导电细丝。
可靠性测试
可靠性测试是评估半导体器件在实际工作环境中长期稳定性的关键步骤。常见的测试项目包括：
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高温存储寿命测试（HTSL）：在高温条件下存储器件，评估其长期稳定性。
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温度循环试验：模拟器件在极端温度变化下的性能。
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加速寿命试验：通过施加更高温度、电压等应力条件，加速器件寿命消耗。
注意事项
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分析顺序应遵循“先非破坏后破坏”的原则，避免关键信息丢失。
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开封后需进行表面钝化处理，防止氧化影响观测。
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单一手段可能存在误判，需多技术联合验证。
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