二次离子质谱（SIMS）可检测极低浓度的掺杂剂和杂质。该技术可在从几埃（Å）到数十微米（μm）的宽深度范围内提供元素深度剖面。样品表面溅射/蚀刻有一束初级离子（通常 O2+或Cs），而溅射过程中形成的二次离子则使用质谱仪（四极杆，磁扇形或飞行时间）提取和分析。二次离子的浓度范围从基质水平到亚ppm痕量水平。

康派斯是二次离子质谱SIMS分析的行业标准，提供最佳的检测限，以及准确的浓度和层结构识别。康派斯在二次离子质谱SIMS领域的经验深度和范围以及对研发的承诺是无与伦比的。康派斯拥有广泛的二次离子质谱仪器（40多个），由非常合格的专家组成。康派斯还拥有最大的离子注入和批量掺杂标准参考材料库，用于准确的SIMS定量。

 

SIMS理想用途

• 掺杂剂和杂质深度分析
• 薄膜（金属、电介质、SiGe、III-V 和 II-VI 材料）的成分和杂质测量
• 浅层植入物和超薄膜的超高精度深度分辨率分析
• 批量分析，包括硅中的 B、C、O 和 N
• 离子注入机或外延反应器等工艺工具的高精度匹配

SIMS优势强项

• 对掺杂剂和杂质具有出色的检测效果，检测灵敏度为 ppm 或更低
• 具有出色检测限和深度分辨率的深度剖面图
• 小面积分析 （1-10 μm）
• 检测所有元素和同位素，包括 H
• 出色的动态范围（高达 6 个数量级）
• 化学计量/组成在某些应用中可能

SIMS缺点限制

• 破坏性
• 无化学键信息
• 样品必须是固体和真空兼容的

SIMS技术规格

• 检测到的信号：二次离子
• 检测到的元素：H-U，包括同位素
• 检测限：>1E10至1E16原子/cm3
• 深度分辨率： >5 Å
• 成像/映射：是的
• 横向分辨率/探头尺寸：≥10 μm（深度剖面）;1 μm（成像模式）

SIMS的检测范围

• 钻石及相关材料
• 砷化镓
• 氮化镓
• 氧化镓
• 碲化镉
• 磷化铟
• 硅和二氧化硅
• 碳化硅
• 氧化锌

 

康派斯的二次离子质谱SIMS专家经过专门培训，擅长了解客户的分析需求并优化分析，以最有效地解决他们的顾虑和兴趣。 今天，二次离子质谱SIMS分析用于帮助各行各业的客户进行研发、质量控制、故障分析、故障排除和过程监控。康派斯在整个过程中提供个性化服务，让您全面了解二次离子质谱SIMS实验室测试结果。

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