全反射X射线荧光(TXRF)

全反射X射线荧光(TXRF)利用抛光晶片表面的极低角度X射线激发来获得表面金属污染物的浓度。

X 射线束的入射角(通常为 0.05-0.5°)低于基板的临界角和限制激励到样品的最外表面(~顶部 80 Å,取决于材料)。 从样品发出的荧光信号是存在的元素污染物的特征。

TXRF是一种高度表面敏感的技术,专门用于分析半导体晶圆(如Si,SiC,GaAs或蓝宝石)上的表面金属污染。

理想用途

  • 半导体晶片上的金属表面污染

优势强项

  • 微量元素分析
  • 调查分析
  • 非破坏性
  • 自动分析
  • 整个晶圆分析(最高300 mm)
  • 可以分析许多衬底,例如Si,SiC,GaAs,InP,蓝宝石,玻璃

缺点限制

  • 无法检测到低Z元素(在周期图上Na之下)
  • 抛光表面需要最佳检测限

技术规格

  • 检测到信号:晶圆表面发出的荧光X射线
  • 检测到的元素:Na-U
  • 检测限:109 - 1012 在/厘米2
  • 深度分辨率:30 – 80Å(采样深度)
  • 成像/映射:可选
  • 横向分辨率/探针尺寸:〜10毫米

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