全反射X射线荧光(TXRF)

全反射X射线荧光(TXRF)利用抛光晶圆表面的极低角X射线激发来获得表面金属污染物的浓度。

X射线束的入射角(通常为0.05-0.5°)低于基板的临界角,并将激发限制在样品的最外表面(~顶部80 Å,取决于材料)。样品发出的荧光信号是存在的元素污染物的特征。

表面灵敏度

TOF-SIMS的表面灵敏度使其成为解决问题的良好第一步,可以概述样品中存在的物种类型。然后可以使用其他技术来获取其他信息。TOF-SIMS也是一种可以检测比传统表面分析技术(如XPSAuger)低得多的物种的技术。

全反射X射线荧光TXRF是一种高度表面敏感的技术,经过优化,可分析半导体晶圆(如硅、碳化硅、砷化镓或蓝宝石)上的表面金属污染。

TXRF理想用途

  • 半导体晶圆上的金属表面污染

TXRF优势强项

  • 微量元素分析
  • 调查分析
  • 定量的
  • 非破坏性
  • 自动分析
  • 整晶圆分析(最大 300 mm)
  • 可以分析多种衬底,例如硅、碳化硅、砷化镓、InP、蓝宝石、玻璃

TXRF缺点限制

  • 无法检测低Z元素(周期图上低于Na)
  • 最佳检测限所需的抛光表面

TXRF技术规格

  • 检测到的信号:来自晶圆表面的荧光X射线
  • 检测到的元素:Na-U
  • 检测限:109– 1012在/厘米处2
  • 深度分辨率:30 – 80 Å(采样深度)
  • 成像/映射:可选
  • 横向分辨率/探头尺寸: ~10 mm

TXRF相关资源

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