超洁净表面对于半导体器件的成功加工至关重要。器件故障通常可归因于过渡金属和碱原子等表面污染物。为了控制污染物，有必要对其进行识别和量化。

利用TXRF和SURFACESIMS。XP为半导体表面的表面污染测量提供了最佳价值的整体解决方案。

TXRF特点

• 调查技术，检测从S到U的元素。
• 在洁净室环境中进行无损的自动化分析。
• 整片晶圆 100 – 300 mm。可以安装小至 50 mm 的较小晶圆进行分析。
• 大分析区域（直径 10 mm），掠视角低于临界角。
• 检测限范围在 10 之间9-1010原子/厘米2对于大多数金属。
• 长期精度：<20% RSD。
• ASTM方法（F1526-95）
• 适用基材：硅、二氧化硅2、碳化硅、砷化镓、蓝宝石、其他

图1 硅片上金属杂质的TXRF光谱

作为一种测量技术，TXRF以低成本提供高灵敏度的多元素表面污染测量。

表面模拟的特点

• 对所有元素和同位素进行元素特异性检测，尤其是TXRF检测效率较差的轻元素（H-S）。
• ASTM方法（F1617-98）用于硅和外延衬底上的铝，钠，钾和铁污染。
• 测量近表面深度分布，提供表面和深度污染检测。
• 小分析区域（最小 50×50 μm2） – 对于设备应用和在空气中的颗粒之间导航测量非常有用
• 检测限范围在 10 之间8-109原子/厘米2对于大多数金属。
• 长期精度：~10% RSD。
• 适用基材：硅、二氧化硅2原文如此

表面模拟。XP 提供 （1） 表面污染物的面密度和 （2） 有关污染物近表面深度分布的信息。这代表了与 TXRF、VPD-AAS 和 VPD-ICPMS 相比的重要优势。

图 2 表面模拟。硅铝的XP深度剖面

* 这些元素无法通过 TXRF 检测或无法在实际水平上测量。在某些情况下，频谱干扰会阻止低水平检测。

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