综合性第三方权威检测机构

泛电子类半导体测试

「 可全国寄样/部分地区上门取样 」 「 CMA/CNAS资质报告 」 「 可加急检测 」

康派斯是专业的半导体测试材料表征和工程资源机构。我们的分析和工程服务为半导体客户开发新工艺和材料、表征正在进行的工艺并将工艺转移到生产中提供了有价值的解决方案。我们的材料和微电子测试服务致力于为该领域的客户提供最佳信息,以增加价值。从而进入全面生产的设备的原型测试,到确保起始材料的纯度,我们可以帮助缩短开发时间并解决半导体制造环境中的良率问题。

服务内容

用于半导体测试的高级显微镜

显微镜技术对于研究样品的微观结构、形态、粒径、颗粒涂层和薄膜/厚膜、块状基板材料的缺陷或检查 IC 的横截面结构至关重要。

失效分析

我们的实验室对集成电路、器件和最终产品进行故障分析。故障分析服务范围从1级无损检查到3级故障隔离和根本原因识别/分析和表征。

材料表征分析

材料相关问题的研究包括塑料/聚合物、助焊剂、润滑剂和阻焊层的特性、成分和纯度的有机分析,以及引线键合、焊盘、引线和引线框架的元素分析。

高纯级电子化学品

我们提供高纯级电子化学品的性能测试、杂质分析等。帮助客户筛查生产过程当中被污染及不达标的试剂和材料。能有效提高产品良率。

材料分析

我们对生产中使用的塑料/聚合物,助焊剂,润滑剂和阻焊剂进行杂质成分分析,可以鉴别其特性,组成和纯度,同时也可以对引线键合,键合焊盘,引线和引线框架等进行元素分析。

痕量元素分析

我们可以在芯片制造的关键阶段检查原材料并且对半导体器件中的痕量杂质进行定性定量分析,来识别和定位半导体器件中的痕量杂质,可以通过仔细表征供应链组件来帮助识别和消除最终产品中不需要的杂质,有效为为客户提供产品优化方向。

掺杂剂的特征

二次离子质谱(SIMS)可以测量掺杂剂水平,检测非常低浓度的掺杂剂和杂质,并且可以在从极端表面到半导体衬底的宽深度范围内提供元素深度分布。

污染分析

通过量化晶片表面的表面金属,识别污染物(例如颗粒,雾度,有机污染物或晶片,光学器件和其他关键表面的表面变色)来评估清洁效果。

老化和可靠性半导体测试

可靠性认证可帮助我们的客户更好地了解磨损机制,检测设计边际与参数漂移相结合,并确定由于潜在制造缺陷而导致的故障率。

ESD和闩锁半导体测试

ESD测试服务包括HBM、MM 和 CDM。HBM 和 MM 的范围从基本的 1 级测试到 4 级综合测试,并具有详细的工程诊断。

FIB电路编辑

聚焦离子束或FIB电路编辑服务使客户能够以晶圆厂中全新晶圆批次成本的一小部分快速切割走线或在芯片内添加金属连接。

可视化表面形态

可以通过多种方法分析小区域和大区域,包括AFMXRR轮廓测量OP显微镜

表面分析

我们可以解决粘合和粘合的表面化学问题,回答有关表面清洁度的问题,并执行有关材料表面形态和形貌的研究。

薄膜分析

薄膜在所有集成电路的制造中起着重要作用。康派斯提供全套服务,可用于表征新型薄膜的所有关键方面,包括其功能和可靠性,这些功能和可靠性可能受到薄膜成分,应力,均匀性,厚度,密度和晶粒结构的影响。

颗粒分析

可以通过AFM识别芯片及器件所有表面上的颗粒污染。 可以识别和测量所有类型的颗粒:金属、无机、有机、结晶、无定形等。

ATE半导体测试与工程

我们的ATE测试设备和经验丰富的团队可以支持从数字到射频的各种产品的首次硅调试到大批量生产,包括晶圆分类和封装零件测试。

表征半导体测试的结晶度

访问专门的方法来确定结晶度、相、织构及其对先进半导体材料性能的影响。

检查IC的横截面结构

最全面和最广泛的先进显微镜工具可用于分析所有当前和未来的IC节点。

电子系统半导体测试

我们的团队提供工程专业知识,使用ATE、系统级测试、可靠性和IC级故障分析来设计、开发、测试、分析和调试最具创新性的产品。

知识产权半导体测试支持

康派斯的专家为公司提供诉讼支持,以应对对其宝贵知识产权的潜在威胁或与半导体产品索赔相关的专利侵权挑战。

总有机污染分析

我们测量半导体加工设备制造中使用的所有零件上的颗粒和TOC(总有机污染)。

溅射靶材纯度分析

使用痕量元素分析等各种技术,可以分析溅射靶材,以确定将沉积到基板上的材料的质量。

等离子抗性涂层分析

耐等离子陶瓷涂层通常是多层结构,可提供抗等离子侵蚀性、刚性、对基材的顺应性和抗热震性。

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