二次离子质谱（SIMS）可检测极低浓度的掺杂剂和杂质。 该技术提供了从几埃 (Å) 到几十微米 (µm) 的广泛深度范围内的元素深度剖面。 样品表面用一束初级离子（通常是 O2+ 或者Cs+) 而在溅射过程中形成的二次离子使用质谱仪（四极杆、扇形磁场或飞行时间）进行提取和分析。 次级离子的浓度范围可以从基质水平到亚 ppm 痕量水平。
EAG是SIMS分析的行业标准， 提供最佳检测限，以及准确的浓度和层结构识别。 EAG 在 SIMS 领域的经验和承诺的深度和范围是无与伦比的。 EAG 拥有全球范围最广的二次离子质谱仪（超过 40 种），由非常合格的科学家组成。 EAG 还拥有世界上最大的离子注入和体掺杂标准参考材料库，用于准确的 SIMS 量化。
理想用途
- 掺杂和杂质深度剖析
- 薄膜（金属，电介质，SiGe，III-V和II-VI材料）的成分和杂质测量
- 浅层植入物和超薄薄膜的超高深度分辨率分析
- 批量分析，包括 Si 中的 B、C、O 和 N
- 高精度匹配工艺工具，例如离子注入机或外延反应器
优势强项
- 以ppm或更低的检测灵敏度出色地检测掺杂剂和杂质
- 深度剖面具有出色的检测限和深度分辨率
- 小面积分析（1-10 µm）
- 检测所有元素和同位素，包括H.
- 出色的动态范围（高达6数量级）
- 在一些应用中可能的化学计量/组成
缺点限制
- 有害
- 没有化学键合信息
- 样品必须是固体和真空兼容的
技术规格
- 检测到信号： 二次离子
- 检测到的元素： HU包括同位素
- 检测限： > 1E10至1E16原子/厘米3
- 深度分辨率： > 5Å
- 成像/制图： 有
- 横向分辨率/探头尺寸： ≥10μm（深度剖析）; 1μm（成像模式）
EAG 的 SIMS 科学家经过专门培训，擅长了解客户的分析需求并优化分析，以最有效地解决他们的顾虑和兴趣。 今天，SIMS 分析用于帮助各行各业的客户进行研发、质量控制、故障分析、故障排除和过程监控。 EAG 在整个过程中提供个性化服务，让您全面了解 SIMS 实验室测试结果。
所选元素的SIMS检测限
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