氢前向散射光谱（HFS）是一种离子散射技术，用于定量确定薄膜中氢的垂直分布。在这个过程中，He2+离子以掠过的角度撞击样品表面，将氢原子从样品中剔除，然后可以使用固态检测器进行分析。

由于氢对薄膜物理或电性能的潜在影响，测量薄膜中氢含量的组成和垂直分布的能力可能至关重要。其他技术，如俄歇电子能谱（AES）、能量色散X射线能谱（EDS）和X射线光电子能谱（XPS），不能检测氢，虽然SIMS可以测量氢气，但通过SIMS对氢气进行定量可能很困难，需要标准。这使得氢前向散射光谱HFS成为薄膜分析的独特实用技术。

很少有实验室能够提供氢前向散射光谱HFS。康派斯的经验可实现快速的周转时间，准确的数据和人对人的服务，确保您了解结果对您的材料和工艺意味着什么。

HFS理想用途

• 薄膜的氢分析

HFS优势强项

• 无损 H 成分测量
• 整晶圆分析（最大 300 mm）
• 导体和绝缘体分析

HFS缺点限制

• 大分析区域 （1×7 mm）
• 有用信息仅限于薄膜 （<0.4 μm）
• 深度分辨率为 300 Å

HFS技术规格

• 检测到的信号：前向散射的H原子
• 检测到的元素：1H、2H
• 检测限：0.1-0.5 at%
• 深度分辨率： ~300 Å
• 成像/映射：不
• 横向分辨率/探头尺寸：≥1×7 mm

康派斯检测集团技术平台完备，深度聚焦半导体材料与晶圆检测。成像学平台配备FIB（聚焦离子束）、TEM（透射电镜）、SEM（扫描电镜）、AFM（原子力显微镜）、Cryo-SEM（冷冻电镜）等设备，精准解析纳米级微观结构；光谱学平台集成XPS（X射线光电子能谱）、Raman（拉曼光谱）、FTIR（红外光谱），实现表面成分与化学态分析；质谱学平台配置TOF-SIMS（飞行时间二次离子质谱）、ICP-MS（电感耦合等离子体质谱），提供痕量元素与深度分布检测。数据精准可追溯，服务半导体企业研发与质控全链条。

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